鉭電容全稱是鉭電解電容（也有人叫鉭質(zhì)電容器），歸于電解電容的一種，運(yùn)用金屬鉭做介質(zhì)，不像普通電解電容那樣運(yùn)用電解液，因而適合在高溫下作業(yè)，是電容器中體積小而又能到達(dá)較大電容量的產(chǎn)品，在電源濾波、溝通旁路等用途上罕見競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。
鉭電容優(yōu)點(diǎn)：
鉭電容本身幾乎沒有電感，但這也約束了它的容量。此外，因?yàn)殂g電容內(nèi)部沒有電解液，很適合在高溫下作業(yè)。
鉭電容的特點(diǎn)是壽命長(zhǎng)、耐高溫、準(zhǔn)確度高、濾高頻諧波功能極好。在鉭電解電容器作業(yè)過程中，具有自動(dòng)修補(bǔ)或隔絕氧化膜中的疵點(diǎn)所在的功能，使氧化膜介質(zhì)隨時(shí)得到加固和康復(fù)其應(yīng)有的絕緣能力，而不致遭到連續(xù)的累積性破壞。這種獨(dú)特自愈功能，確保了其長(zhǎng)壽命和可靠性的優(yōu)勢(shì)。
鉭電解電容器具有非常高的作業(yè)電場(chǎng)強(qiáng)度，并較同類型電容器都大，以此確保它的小型化。
鉭電容缺點(diǎn)：
容量較小、價(jià)格也比鋁電容貴，并且耐電壓及電流能力較弱。它被應(yīng)用于大容量濾波的當(dāng)?shù)?，像CPU插槽鄰近就看到鉭電容的身影，多同陶瓷電容，電解電容合作運(yùn)用或是應(yīng)用于電壓、電流不大的當(dāng)?shù)亍?
聚合物鉭電容簡(jiǎn)介
聚合物電容是選用高電導(dǎo)率的聚合物資料作為陰極的片式疊層鋁電解電容器，具有逾越現(xiàn)有液體片式鋁電解電容器和固體片式鉭電解電容器的杰出電功能。聚合物電容在額外電壓規(guī)模內(nèi)，無需降壓運(yùn)用。
具有極低的等效串聯(lián)電阻（ESR），下降紋波電壓能力強(qiáng)，允許通過更大紋波電流。聚合物片式疊層鋁電解電容器在高頻下，阻抗曲線呈現(xiàn)近似理想電容器特性。在頻率改變情況下，電容量非常安穩(wěn)。此類電容器首要應(yīng)用于主板（筆記本電腦、平板顯示器、數(shù)字交換機(jī) ）旁路去耦/儲(chǔ)能濾波電容、開關(guān)電源、DC/DC變換器、高頻噪聲抑制電路及便攜式電子設(shè)備等。AVX代理商
導(dǎo)電高分子資料自誕生以來因?yàn)榇蚱屏擞袡C(jī)物（塑料）不能導(dǎo)電的傳統(tǒng)物理理論，即具有有機(jī)物柔軟的特性，一起又可以導(dǎo)電，因而，其應(yīng)用規(guī)模現(xiàn)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)逾越當(dāng)初的預(yù)期，在電子工業(yè)上的應(yīng)用上乃至帶來了一場(chǎng)革新。高端的應(yīng)用可見隱形戰(zhàn)斗機(jī)的表面涂層，家里的應(yīng)用可在大屏幕電視機(jī)的的防靜電涂層。尤其是在電子元件上的應(yīng)用上幾乎帶來了功能上的革新，例如片式鉭電容器。
在選用了高分子陰極資料替代了電子電導(dǎo)型的二氧化錳后，電容器的陰極由不導(dǎo)電的半導(dǎo)體變成了導(dǎo)體，電容器的自有高頻阻抗ESR因而成倍下降，在電容器的應(yīng)用頻率規(guī)模得到了兩個(gè)數(shù)量級(jí)的進(jìn)步的一起，還處理了半導(dǎo)體陰極二氧化錳片式鉭電容器抗浪涌能力差的致命缺點(diǎn)，對(duì)應(yīng)用條件最為嚴(yán)苛的開關(guān)電源電路里固有的浪涌脈沖乃至呈鈍感現(xiàn)象，即便是有10%左右的稍微降額，電容器都可以具有更高的可靠性。并且在意外擊穿時(shí)不焚燒，不爆破，不會(huì)引發(fā)二次效應(yīng)。它不但完全處理了應(yīng)用于開關(guān)電源電路里的鉭電容器的失效問題，并且還把電容器的濾波頻率規(guī)模大幅度進(jìn)步到曩昔不能進(jìn)入的中高頻濾波電路。
鉭電容器運(yùn)用的高分子陰極資料依照技術(shù)進(jìn)步方向可分如下幾代；第一代高分子資料為聚砒咯，因?yàn)樵摳叻肿雨帢O資料有必要運(yùn)用電化學(xué)聚合，因而，出產(chǎn)效率和合格率偏低，并且只能應(yīng)用于額外電壓低于16V以下的產(chǎn)品，在高溫安穩(wěn)性上體現(xiàn)顯著差于二氧化錳。最高容許運(yùn)用溫度偏低，只能到達(dá)105度。假如長(zhǎng)期運(yùn)用在溫度較高的電路，會(huì)呈現(xiàn)容量損失，阻抗增大的現(xiàn)象。鑒于以上原因，在2010年左右，聚砒咯現(xiàn)已根本被熱安穩(wěn)性更好，出產(chǎn)工藝更簡(jiǎn)略的的聚噻吩替代。聚噻吩成為功能顯著逾越聚吡咯的第二代高分子資料。與第一代的高分子資料聚吡咯相比，第二代高分子資料聚噻吩的出產(chǎn)首要運(yùn)用化學(xué)聚合的辦法，把EDOT單體和對(duì)甲苯磺酸鐵氧化劑按照必定的化學(xué)當(dāng)量比進(jìn)行制造，在必定的溫度下就可以完結(jié)功能顯著優(yōu)于聚吡咯的聚噻吩PEDT膜的聚合。但是，因?yàn)榛瘜W(xué)聚合的聚噻吩膜是在孔徑1微米到幾十微米的多孔鉭陽(yáng)極基體中完結(jié)的，完結(jié)聚合后的PEDT膜中含有很多的被作為電子施與體的三價(jià)鐵離子，而這些鐵離子的存在不但會(huì)導(dǎo)致構(gòu)成的PEDT膜的結(jié)構(gòu)完好性存在缺點(diǎn)，并且還會(huì)導(dǎo)致膜上存在過多的離子導(dǎo)電通道，然后導(dǎo)致電容器的直流漏電流偏大。去除構(gòu)成的PEDT膜中的鐵離子只能選用極性較弱的有機(jī)溶劑進(jìn)行清洗。因?yàn)殂g電容器內(nèi)部的微孔直徑過小，因而，實(shí)際上現(xiàn)已構(gòu)成的PEDT膜中鐵離子無論運(yùn)用任何有機(jī)溶劑都很難清洗干凈，這樣，運(yùn)用此工藝辦法出產(chǎn)的聚噻吩膜PEDT的物理結(jié)構(gòu)不但存在缺點(diǎn)，并且因?yàn)槠溟g依然含有必定量的鐵離子而導(dǎo)致電容器的漏電流偏大。別的，運(yùn)用此工藝出產(chǎn)的PEDT膜的熱安穩(wěn)性依然存在問題，只能到達(dá)105℃。因而，直接運(yùn)用化學(xué)聚合法在鉭電容器電介質(zhì)層上構(gòu)成的PEDT膜的運(yùn)用溫度上限遭到嚴(yán)格約束，假如漏電流偏大的產(chǎn)品作業(yè)環(huán)境溫度又偏高，運(yùn)用一段時(shí)間后，電容器依然會(huì)呈現(xiàn)容量損失，阻抗添加的現(xiàn)象。只能運(yùn)用在不存在頻繁大功率脈沖的濾波電路。運(yùn)用在作業(yè)溫度偏高的大功率脈沖電路時(shí)，可靠性會(huì)隨作業(yè)時(shí)間延伸而下降。
因?yàn)檐娪秒娙萜鬟\(yùn)用的環(huán)境條件較嚴(yán)苛，因而，一切元件有必要具有長(zhǎng)期 耐受125℃的高溫安穩(wěn)性，按照此標(biāo)準(zhǔn)要求，漏電流偏大的化學(xué)聚合法出產(chǎn)的高分子片式鉭電容器在長(zhǎng)期需求高溫下作業(yè)的大功率脈沖充放電電路里運(yùn)用時(shí)，可靠性雖然比二氧化錳陰極的片式鉭電容器高，但依然會(huì)呈現(xiàn)必定的失效問題，與運(yùn)用在簡(jiǎn)略的濾波電路里時(shí)的可靠性差異很大。AVX代理商
一起，因?yàn)檫\(yùn)用化學(xué)聚合法出產(chǎn)的聚噻吩膜的大分子結(jié)構(gòu)完好性存在缺點(diǎn)，分子鏈長(zhǎng)度和交聯(lián)度偏低，并且其間含有會(huì)導(dǎo)致漏電流增大的鐵離子濃度較高，因而，運(yùn)用化學(xué)聚合法出產(chǎn)的聚噻吩PEDT膜只能用來出產(chǎn)額外電壓不超越35V的片式鉭電容器。當(dāng)電容器的額外電壓稍高時(shí)，容易呈現(xiàn)忽然擊穿的失效現(xiàn)象。并且出產(chǎn)出的產(chǎn)品的漏電流無法到達(dá)二氧化錳陰極片式鉭電容器的水平。產(chǎn)品可靠性因而遭到嚴(yán)重影響。
為了處理上述問題，第三代高分子出產(chǎn)工藝呈現(xiàn)了；針對(duì)第二代化學(xué)聚合中存在的問題和缺點(diǎn)，第三代高分子資料雖然依然選用聚噻吩PEDT，但此聚噻吩因?yàn)榫酆铣霎a(chǎn)工藝不同，所具有的功能現(xiàn)已今非昔比，不但處理了漏電流偏大的問題，并且還可以出產(chǎn)額外電壓到達(dá)100V以上的高分子片式鉭電容器。
第三代高分子聚合物聚噻吩首先在容器中按照必定的化學(xué)當(dāng)量比完結(jié)聚合后，再運(yùn)用電化學(xué)的辦法完全去除聚噻吩中的鐵離子，然后運(yùn)用一些偶聯(lián)劑和其他可以確保安穩(wěn)性的化學(xué)溶劑，再運(yùn)用極性較強(qiáng)的水來制造成純度很高的聚噻吩水溶液，再運(yùn)用簡(jiǎn)略的浸漬辦法使此溶液浸透進(jìn)入鉭電容器胚塊內(nèi)部微孔中，在高于水的沸點(diǎn)烘干，就可以構(gòu)成化學(xué)結(jié)構(gòu)完好，膜中不存在易導(dǎo)致漏電流增大的鐵離子的聚噻吩膜。
運(yùn)用此辦法出產(chǎn)的高分子鉭電容器的漏電流不但可以比第二代化學(xué)聚合法出產(chǎn)的產(chǎn)品低一個(gè)數(shù)量級(jí)，并且高溫?zé)岚卜€(wěn)性獲得了極大的改觀，在125度下的功能安穩(wěn)性乃至到達(dá)或超越二氧化錳陰極的片式鉭電容器。
這樣，運(yùn)用第三代物理聚合法出產(chǎn)的高分子片式鉭電容器的可靠性與第二代高分子片式鉭電容器相比，得到了數(shù)量級(jí)的進(jìn)步。運(yùn)用在最嚴(yán)苛的大功率脈沖充放電電路，即便長(zhǎng)期作業(yè)在較高的溫度下，依然具有極高的可靠性。別的，因?yàn)槠溥€可以出產(chǎn)額外電壓更高的產(chǎn)品，因而，高壓固體二氧化錳電容器的最后一段陣地也被攻克。二氧化錳電容器被完全替代現(xiàn)已沒有任何技術(shù)問題了。
關(guān)于作業(yè)電壓到達(dá)28V以上，又需求高容量的T/R組件，AVX代理商這是唯一可以滿意一切要求的高功率高可靠性電容器。
