關(guān)于鉭電容相信只要是從事電子成產(chǎn)加工研制之類的職業(yè)對(duì)他都不會(huì)陌生,因?yàn)槠洫?dú)特的特性使其運(yùn)用面十分廣泛,咱們先來(lái)回顧下鉭電容的開展史:
金屬鉭的性質(zhì)
1802年,稀有金屬鉭(Ta)由AG Ekeberg發(fā)現(xiàn),坐落元素周期表VB 族中[2],原子序數(shù)73,原
子量為108.195,歸于體心立方結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)A:3.2959,熔點(diǎn)為2996 ℃,沸點(diǎn)5427 ℃, 僅次于鎢和錸,位居第三。室溫下的電阻率為13.58μΩ·cm,電離電位7.30±3V。 1.1.2化學(xué)性質(zhì)
鉭具有十分好的化學(xué)安穩(wěn)性,不與空氣和水效果,無(wú)論是在冷和熱的條件下,對(duì)鹽酸、濃硝酸及“王水”都不反響。除氫氯酸以外能抵抗包含“王水”在內(nèi)的一切無(wú)機(jī)酸,也包含任何堿溶液的腐蝕。將鉭放入200℃的硫酸中浸泡一年,表層僅損傷0.006毫米。實(shí)驗(yàn)證明,鉭在常溫下,對(duì)堿溶液、氯氣、溴水、稀硫酸以及其他許多藥劑均不起效果,僅在氫氟和熱濃硫酸效果下有所反響,這樣的狀況在金屬中是比較稀有的。它的另一個(gè)重要特性是可以吸收氣體,如氫、氮、氧等,并構(gòu)成相應(yīng)的固溶體或化合物。
力學(xué)功用
金屬鉭具有高熔點(diǎn)、極強(qiáng)的抗腐蝕才能和良好的強(qiáng)度。鉭富有延展性,可以拉成細(xì)絲式制薄箔。其熱脹大系數(shù)很小,每升高一攝氏度只脹大百分之六點(diǎn)六。除此之外,它的耐性很強(qiáng),比銅還要優(yōu)異。但是,硬度偏低,抗劃傷才能和抗變形才能缺乏,運(yùn)用壽數(shù)短,限制了金屬鉭的推廣運(yùn)用,這樣,對(duì)其外表進(jìn)行強(qiáng)化處理就顯得十分重要。
鉭所具有的特性,使它的運(yùn)用范疇十分廣闊。在制取各種無(wú)機(jī)酸的設(shè)備中,鉭可用來(lái)替代石墨陰極,壽數(shù)可比石墨陰極提高幾十倍。此外,在化工、電子、電氣等工業(yè)中,鉭可以替代過(guò)去需要由貴重金屬鉑承當(dāng)?shù)氖姑顾栀M(fèi)用大大降低。
鉭電容簡(jiǎn)介和根本結(jié)構(gòu)
固體鉭電容是將鉭粉限制成型,在高溫爐中燒結(jié)成陽(yáng)極體,其電介質(zhì)是將陽(yáng)極體放入酸中賦能,構(gòu)成多孔性非晶型Ta2O5 介質(zhì)膜,其作業(yè)電解質(zhì)為硝酸錳溶液經(jīng)高溫分解構(gòu)成MnO2 ,經(jīng)過(guò)石墨層作為引出銜接用。
鉭電容功用優(yōu)越,可以完成較大容量的一起可以使體積相對(duì)較小,易于加工成小型和片狀元件,適宜現(xiàn)在電子器件安裝主動(dòng)化,小型化開展,得到了廣泛的運(yùn)用,鉭電容的首要特點(diǎn)有壽數(shù)長(zhǎng),耐高溫,準(zhǔn)確度高,但耐電壓和電流才能相對(duì)較弱,一般運(yùn)用于電路大容量濾波部分。
工藝流程
一、工藝制作流程
大致工藝流程如下(粗體為要害工序):
原材料查驗(yàn)-成型工序-燒結(jié)工序-濕檢QC-焊接工序-賦能工序-被膜工序-石墨銀漿工序-浸
銀QC-安裝工序-模塑工序-噴砂工序-打印工序-切邊工序-預(yù)測(cè)驗(yàn)工序-老到工序-測(cè)驗(yàn)工序-外觀工序-編帶工序-查盤工序-制品QC-入庫(kù)儲(chǔ)存-包裝-發(fā)貨QC 下面依照工藝流程路
線作一個(gè)簡(jiǎn)要的介紹: a)原材料查驗(yàn): b) 成型:
粗細(xì)比例不同的顆粒鉭粉與溶解于溶劑中的粘合劑均勻混合好,待溶劑蒸發(fā)后,再與鉭絲一同限制成陽(yáng)極鉭塊;該工序主動(dòng)化程度較高,每隔必定時(shí)刻,操作員將混好的鉭粉倒入進(jìn)料盤(避免鉭粉太多發(fā)生的自重,粘結(jié)在一同),設(shè)備主動(dòng)依照尺度模腔限制成型;
c) 脫臘和燒結(jié):
脫臘又叫預(yù)燒,即將限制成型的鉭塊內(nèi)的粘結(jié)劑去除;燒結(jié)則是將現(xiàn)已脫粘結(jié)劑的鉭塊燒結(jié)成為具有必定機(jī)械強(qiáng)度的微觀多孔體,燒結(jié)進(jìn)程只是顆粒與顆粒間觸摸的部分熔合在一同,但若燒結(jié)溫度過(guò)高,則會(huì)導(dǎo)致顆粒與顆粒之間的熔合部分過(guò)多,導(dǎo)致外表面積減少;脫臘和燒結(jié)對(duì)爐的真空度、開始溫度、升溫、保溫、降溫及出爐、轉(zhuǎn)爐時(shí)刻等參數(shù)均有嚴(yán)格控制要求。 d) 濕檢
QC:
濕檢是經(jīng)過(guò)對(duì)燒結(jié)后的鉭塊抽樣進(jìn)行賦能實(shí)驗(yàn)及電參數(shù)測(cè)驗(yàn)確認(rèn)鉭塊的燒結(jié)比容,為下道賦能工藝的參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化(電流密度、構(gòu)成電壓等),一起反饋調(diào)整上道燒結(jié)工序的溫控曲線等參數(shù)。一起,還會(huì)對(duì)鉭塊、鉭絲的外觀尺度、強(qiáng)度等參數(shù)進(jìn)行測(cè)驗(yàn)。 e) 焊接: 該工序主動(dòng)將單支鉭陽(yáng)極塊穿上四氟墊,焊接在工藝條上并收集在工藝架上,構(gòu)成整架產(chǎn)品,以便后道工序進(jìn)行整架產(chǎn)品的操作。
f) 賦能:
賦能工序是很要害的一道工序,它運(yùn)用電化學(xué)的辦法,在陽(yáng)極外表生成一層致密的絕緣Ta2O5氧化膜,以作為鉭電解電容器的介質(zhì)層。進(jìn)程為成架的產(chǎn)品浸入構(gòu)成液中(通常為稀硝酸液)必定深度,硝酸溶液會(huì)滲透到鉭塊內(nèi)部的孔道內(nèi),再將鉭塊作為陽(yáng)極通以電流,硝酸分解出氧,就會(huì)在與硝酸觸摸的鉭粒子外表生成Ta2O5氧化膜。
g) 被膜:
被膜是將現(xiàn)已賦能好的鉭電容進(jìn)行清洗枯燥后,浸在硝酸錳溶液中,硝酸錳溶液一直深入到鉭塊內(nèi)部孔洞,硝酸錳加熱分解變成二氧化錳構(gòu)成電容的陰極。此工序須重復(fù)多次直到內(nèi)部間隙都充滿二氧化錳,這樣確保二氧化錳的覆蓋率使電容的容量不會(huì)有丟失。 h) 被石墨銀漿:
石墨層作為緩沖層,既減小了ESR又可以避免銀漿與二氧化錳觸摸導(dǎo)致銀漿的氧化;銀漿層的目的是供給一種等電位外表,收集電容器充放電的移動(dòng)電流,它也易于和引線框架銜接。石墨的浸漬選用儀器主動(dòng)控制,一般是一到二次(S、A、B殼為二次;其余為一次),浸漬石墨層后需要進(jìn)行固化(150℃ 30~40mins);而銀漿的浸漬則選用手工按工藝條來(lái)操作(固化溫度160℃ 50~60mins),每隔必定時(shí)刻就從頭對(duì)銀漿槽攪伴,以確保銀漿的粘度,該工序的手工操作較多,感覺(jué)不是太好。 i) 浸銀QC:
浸銀QC是對(duì)前面陰極生成工序后的電功用和外觀尺度的抽檢,電功用測(cè)驗(yàn)包含:容量、損耗、漏電流及ESR四參數(shù),選用PC與測(cè)驗(yàn)設(shè)備構(gòu)成的數(shù)據(jù)收集體系。 j) 安裝:
將被銀后的產(chǎn)品定距切斷,在切斷前先對(duì)鉭絲外表的氧化膜刮除,避免虛焊,再將陽(yáng)極焊接在框架上,陰極經(jīng)過(guò)銀膏固化與框架托片結(jié)合在一同。 k) 模塑:
將安裝后的框架條產(chǎn)品模塑包封,使其成為具有必定幾何尺度和外觀質(zhì)量的形體。 l) 噴砂:
噴除模塑后產(chǎn)品框架上的多余溢料和毛刺,并對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行固化加強(qiáng)產(chǎn)品的模塑強(qiáng)度。噴砂的介質(zhì)現(xiàn)已改用為水,這樣對(duì)可焊性的影響更小。
m) 打印:
打印產(chǎn)品的標(biāo)稱容量、額外電壓和陽(yáng)極標(biāo)識(shí),以進(jìn)行產(chǎn)品標(biāo)識(shí)辨認(rèn)。 n) 切邊:
將框架條產(chǎn)品的陽(yáng)極邊切除,方便后續(xù)的電功用測(cè)驗(yàn)和老煉挑選。 o) 預(yù)測(cè)驗(yàn):
只是測(cè)驗(yàn)產(chǎn)品的漏電流,并除掉漏電流大的產(chǎn)品。該工序主動(dòng)化程度較高。 p) 老化挑選:
鉭電容的可靠性程度取決于挑選工序的辦法和實(shí)施程度,因而老化挑選是要點(diǎn)工藝。出產(chǎn)線一般有兩套老化爐,一套一起具有浪涌測(cè)驗(yàn)及老煉功用;另一套只具有高溫老煉功用。其工序分為
三段:一次老煉、浪涌測(cè)驗(yàn)、二次老煉。 q) 測(cè)驗(yàn):
老煉浪涌測(cè)驗(yàn)完的產(chǎn)品會(huì)進(jìn)行電功用四參數(shù)的測(cè)驗(yàn),容量、損耗、漏電流及ESR,不合格品會(huì)主動(dòng)除掉到收集盒。 r) 外觀分選:
對(duì)產(chǎn)品的外觀進(jìn)行全檢,并除掉外觀廢品。 s) 編帶:運(yùn)用編帶機(jī)將產(chǎn)品引線成型,并主動(dòng)編帶成為一整卷盤產(chǎn)品。
) 查盤:
對(duì)編帶后產(chǎn)品的外觀進(jìn)行100%的查驗(yàn),除掉外觀不合格品,將合格品從頭熱封,去除多余載帶,調(diào)整卷盤環(huán)繞方向并打好包裝。 u) 制品QC:
制品QC進(jìn)行外觀、電性四參數(shù)、可焊、耐焊的查驗(yàn)。產(chǎn)品抽樣進(jìn)行回流焊實(shí)驗(yàn),確認(rèn)產(chǎn)品的電功用參數(shù)不會(huì)有太大的改變率。
鉭電容的首要特性參數(shù)
鉭電容器在實(shí)踐制作進(jìn)程中,因?yàn)檫\(yùn)用的原材料功用差異和工藝水平不同以及配備功用的不同,批量出產(chǎn)出的產(chǎn)品的功用雖然都符合標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,但實(shí)踐上不同出產(chǎn)廠家出產(chǎn)的產(chǎn)品的功用存在顯著的質(zhì)量差異。即使是同一出產(chǎn)批,不同只產(chǎn)品實(shí)踐上也存在質(zhì)量差異。形成此現(xiàn)象的深層次原因是鉭電容器復(fù)雜的出產(chǎn)工藝進(jìn)程使產(chǎn)品參數(shù)不或許堅(jiān)持的完全一致,因而,尋求質(zhì)量一致性和尋求高功用就成為所有出產(chǎn)廠家的重要方針。而關(guān)于用戶而言,形成運(yùn)用時(shí)失效的原因首要有兩點(diǎn);一;產(chǎn)品功用參數(shù)與電路運(yùn)用條件不匹配。二;由用戶供給的產(chǎn)品存在質(zhì)量問(wèn)題。
鉭電容器的各電功用參數(shù)對(duì)運(yùn)用時(shí)可靠性的影響
鉭電容器的實(shí)踐參數(shù)如下; 1. CR;額外容量[uF] ;2. DF;損耗[%] ;3. DCL;直流漏電流[uA] ;4. ESR;等效串聯(lián)電阻。[Ω]
反向電壓
一般不允許對(duì)鉭電容施加反向電壓,并且不可在純溝通的環(huán)境中運(yùn)用,若在不得以狀況下允許時(shí)刻小量的反向電壓。25℃環(huán)境下:小于或等于10%Ur或1V(取較小者)85℃環(huán)境下:小于或等于5%Ur或0.5V(取較小者),125℃環(huán)境下:小于或等于1%Ur或0.1V(取較小者),IEC60384-3對(duì)反向電壓測(cè)驗(yàn)條件為:125℃環(huán)境下,3Vdc或10%UR(取較小者)測(cè)驗(yàn)125小時(shí)。
鉭電容器漏電流與充電時(shí)刻之間關(guān)系:
不同出產(chǎn)廠家出產(chǎn)的相同標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品的漏電流衰減速度完全不相同,雖然它們都是合格品。鉭電容器的漏電流會(huì)隨充電時(shí)刻延伸而逐步降低,3分鐘內(nèi)到達(dá)安穩(wěn)態(tài),但不同質(zhì)量的產(chǎn)品在充電時(shí)的漏電流衰減速度卻因?yàn)椴煌某霎a(chǎn)條件而不同。衰減速度快的產(chǎn)品因?yàn)樵跇O短的時(shí)刻內(nèi)經(jīng)過(guò)電流較小而發(fā)生的熱量較小,因而,產(chǎn)品簡(jiǎn)直不存在可導(dǎo)致產(chǎn)品瞬間失效的過(guò)高熱量會(huì)集,因而產(chǎn)品不容易發(fā)熱失效。經(jīng)過(guò)的漏電流小,說(shuō)明該產(chǎn)品的介電層質(zhì)量較好,可以安全接受更高的電壓和電流沖擊,而漏電流衰減速度慢的產(chǎn)品,不光容易在浪涌發(fā)生時(shí)因?yàn)榻?jīng)過(guò)電流大而擊穿,并且極易爆破燃燒,對(duì)運(yùn)用者形成毀滅性影響。因而,用戶可以經(jīng)過(guò)測(cè)驗(yàn)鉭電容器的漏電流衰減速度來(lái)甄別鉭電容器耐電壓沖擊才能和耐電流沖擊才能。
電容失效形式,機(jī)理和失效特點(diǎn)
關(guān)于鉭電容,失效與其他類型的電容相同,也有電參數(shù)改變失效、短路失效和開路失效三種。因?yàn)殂g電容的電功用安穩(wěn),且有獨(dú)特的“自愈”特性,鉭電容鮮有參數(shù)改變引起的失效,鉭電容失效
大部分是因?yàn)殡娐方殿~缺乏,反向電壓,過(guò)功耗導(dǎo)致,首要的失效形式是短路。另外,根據(jù)鉭電容的失效統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),鉭電容發(fā)生開路性失效的狀況也極少。因而,鉭電容失效首要表現(xiàn)為短路性失效。鉭電容短路性失效形式的機(jī)理是:固體鉭電容的介質(zhì)Ta2O5因?yàn)樵牧喜患兓蚬に囍械脑蚨嬖陔s質(zhì)、裂紋、孔洞等疵點(diǎn)或缺點(diǎn),鉭塊在經(jīng)過(guò)高溫?zé)Y(jié)時(shí)已將大部分疵點(diǎn)或缺點(diǎn)焚毀或蒸發(fā)掉,但仍有少數(shù)存在。在賦能、老煉等進(jìn)程中,這些疵點(diǎn)在電壓、溫度的效果下轉(zhuǎn)化為場(chǎng)致晶化的發(fā)源地—晶核;在長(zhǎng)期效果下,促進(jìn)介質(zhì)膜以較快的速度發(fā)發(fā)生物理、化學(xué)改變,發(fā)生應(yīng)力的積累,到必定時(shí)候便引起介質(zhì)局部的過(guò)熱擊穿。假如介質(zhì)氧化膜中的缺點(diǎn)部位較大且會(huì)集,一旦在熱應(yīng)力和電應(yīng)力效果下呈現(xiàn)瞬時(shí)擊穿,則很大的短路電流將使電容敏捷過(guò)熱而失去熱平衡,鉭電容固有的“自愈”特性已無(wú)法修補(bǔ)氧化膜,然后導(dǎo)致鉭電容敏捷擊穿失效 。
失效機(jī)理首要是因?yàn)檠趸と秉c(diǎn),鉭塊與陽(yáng)極引出線觸摸發(fā)生相對(duì)位移,陽(yáng)極引出鉭絲與氧化膜顆粒觸摸等,大部分鉭電容失效是災(zāi)難性的,或許發(fā)生焚毀,爆破,在運(yùn)用進(jìn)程中需特別注意。
低阻抗電路運(yùn)用電壓過(guò)高導(dǎo)致的失效;
關(guān)于鉭電容器運(yùn)用的電路,只有兩種;有電阻維護(hù)的電路和沒(méi)有電阻維護(hù)的低阻抗電路. 關(guān)于有電阻維護(hù)的電路,因?yàn)殡娮钑?huì)起到降壓和按捺大電流經(jīng)過(guò)的效果,因而,運(yùn)用電壓可以到達(dá)鉭電容器額外電壓的60%. 沒(méi)有電阻維護(hù)的電路有兩種; 一;前級(jí)輸入現(xiàn)現(xiàn)已過(guò)整流和濾波,輸出安穩(wěn)的充放電電路.在此類電路,電容器被當(dāng)作放電電源來(lái)運(yùn)用,因?yàn)檩斎雲(yún)?shù)安穩(wěn)沒(méi)有浪涌,因而,雖然是低阻抗電路,可安全運(yùn)用的電壓仍然可以到達(dá)額外電壓的50%都可以確保適當(dāng)高的可靠性. 二;電子整機(jī)的電源部分; 電容器并聯(lián)運(yùn)用在此類電路, 除了要求對(duì)輸入的信號(hào)進(jìn)行濾波外,往往一起還兼有依照必定頻率和功率進(jìn)行放電的要求. 因?yàn)槭请娫措娐?因而,此類電路的回路阻抗十分低,以確保電源的輸出功率密度足夠. 在此類開關(guān)電源電路中[也叫DC-DC電路], 在每次開機(jī)和關(guān)機(jī)的瞬間,電路中會(huì)發(fā)生一個(gè)持續(xù)時(shí)刻小于1微秒的高強(qiáng)度尖峰脈沖,其脈沖電壓值至少可以到達(dá)安穩(wěn)的輸入值的3倍以上,電流可以到達(dá)穩(wěn)態(tài)值的10倍以上,因?yàn)槌掷m(xù)時(shí)刻極短,因而,其單位時(shí)刻內(nèi)的能量密度十分高, 假如電容器的運(yùn)用電壓偏高,此時(shí)實(shí)踐加在產(chǎn)品上的脈沖電壓就會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越產(chǎn)品的額外值而被擊穿. 因而,運(yùn)用在此類電路中的鉭電容器容許的運(yùn)用電壓不能超越額外值的1/3.
假如不分電路的回路阻抗類型,一概降額50%, 在回路阻抗***低的DC-DC電路,一開機(jī)就有或許瞬間呈現(xiàn)擊穿短路或爆破現(xiàn)象.
在此類電路中運(yùn)用的電容器應(yīng)該降額多少,必定要考慮到電路阻抗值的凹凸和輸入輸出功率的巨細(xì)和電路中存在的溝通紋波值的凹凸.因?yàn)殡娐纷杩拱纪箍梢詻Q議開關(guān)瞬間浪涌起伏的巨細(xì)。內(nèi)阻越低的電路降額起伏就應(yīng)該越多。
關(guān)于降額起伏巨細(xì),切不可一概而論. 必須經(jīng)過(guò)精確的可靠性計(jì)算來(lái)確認(rèn)降額起伏.
鉭電容器等效串聯(lián)電阻ESR過(guò)高和電路中溝通紋波過(guò)高導(dǎo)致的失效;
當(dāng)某只ESR過(guò)高的鉭電容器運(yùn)用在存在過(guò)高溝通紋波的濾波電路,即使是運(yùn)用電壓遠(yuǎn)低于應(yīng)該的降額起伏, 有時(shí)候,在開機(jī)的瞬間仍然會(huì)發(fā)生突然的擊穿現(xiàn)象; 呈現(xiàn)此類問(wèn)題的首要原因是電容器的ESR和電路中的溝通紋波巨細(xì)嚴(yán)重不匹配. 電容器是極性元?dú)饧?在經(jīng)過(guò)溝通紋波時(shí)會(huì)發(fā)熱,而不同殼號(hào)巨細(xì)的產(chǎn)品可以保持熱平衡的容許發(fā)熱量不同.因?yàn)椴煌萘康漠a(chǎn)品的ESR值相差較高,因而,不同標(biāo)準(zhǔn)的鉭電容器可以安全耐受的溝通紋波值也相差很大, 因而,假如某電路中存在的溝通紋波超越運(yùn)用的電容器可以安全接受的溝通紋波值,產(chǎn)品就會(huì)呈現(xiàn)熱致?lián)舸┑默F(xiàn)象.同樣,假如電路中的溝通紋波必定,而選擇的鉭電容器的實(shí)踐ESR值過(guò)高,產(chǎn)品也會(huì)呈現(xiàn)相同的現(xiàn)象.
一般來(lái)說(shuō),在濾波和大功率充放電電路,必須運(yùn)用ESR值盡或許低的鉭電容器. 關(guān)于電路中存在的溝通紋波過(guò)高而導(dǎo)致的電容器失效問(wèn)題,許多電路設(shè)計(jì)師都忽略其危害性或認(rèn)識(shí)不夠. 只是簡(jiǎn)略認(rèn)定電容器質(zhì)量存在問(wèn)題. 此現(xiàn)象許多.
在鉭電容范疇有量大巨子:
AVX鉭電容與基美鉭電容在鉭電容范疇都是稍有對(duì)手的全球出名鉭電容制作商,首要咱們先來(lái)簡(jiǎn)略的介紹下AVX公司和基美公司。
AVX亞洲公司成立于1984年、創(chuàng)業(yè)始于香港。
1986年在新加坡開展了出產(chǎn)事務(wù)
1987年在臺(tái)灣和韓國(guó)設(shè)立了出售分公司。
1990年與日本Kyocera公司合伙、然后使這二家無(wú)源微電子技能的國(guó)際巨子在專業(yè)特長(zhǎng)、開發(fā)經(jīng)驗(yàn)、專有技能和市場(chǎng)才能方面完成強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合。
1990年在印度尼西亞的Batam設(shè)立了出產(chǎn)基地、在馬來(lái)西亞設(shè)立了出售分公司。
1993年、咱們新加坡和香港的部分均經(jīng)過(guò)了ISO9002質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證。新加坡的分公司還擴(kuò)大了事務(wù)和規(guī)模。
1994年與Elco公司合伙。該公司是優(yōu)質(zhì)電子銜接器和互銜接體系的國(guó)際級(jí)供貨商。 在亞洲不斷開展、在我國(guó)上海設(shè)立了出售部。
1996年在上海設(shè)立了一家工廠
1997年在天津設(shè)立了一個(gè)倉(cāng)庫(kù)。
AVX鉭電容的出產(chǎn)基地(現(xiàn)在我國(guó)沒(méi)有鉭電容出產(chǎn)基地)
1.美國(guó)-捷克
2.美國(guó)南卡羅來(lái)納州 坐落美國(guó)南卡羅來(lái)納州霍里縣默特爾比奇是AVX公司的
AVX鉭電容器出產(chǎn)根本之一。美國(guó)南卡羅來(lái)納州共4200公里,十分彎曲,西南界
佐治亞州。全州概括呈三角形。面積80432平方公里,在50州內(nèi)列第40位。
人口432,1249(2006年)。首府哥倫比亞城
基美在我國(guó)
基美公司(KEMET)是全球最出名的電容器出產(chǎn)商之一,在無(wú)源電子技能范疇占有全球領(lǐng)先地位。公司總部座落于美國(guó)南卡羅萊納州格林維爾市(Greenville, SC),在美國(guó)、我國(guó)、墨西哥、
德國(guó)、保加利亞,意大利,芬蘭,葡萄牙,瑞典,英國(guó),馬其頓,印度尼西亞等10多個(gè)國(guó)家具有二十多個(gè)出產(chǎn)基地,并具有遍及全球的出售和分銷網(wǎng)絡(luò),事務(wù)范圍觸及大型工業(yè)運(yùn)用,新能源,
消費(fèi)類電子,通訊,基礎(chǔ)設(shè)備等多個(gè)范疇。咱們的愿景是成為國(guó)際上最可信賴的新型電子元器件合作伙伴。
現(xiàn)在基美電子我國(guó)區(qū)共有有機(jī)固態(tài)電容、薄膜與電解電容兩個(gè)事業(yè)部。
有機(jī)固態(tài)電容事業(yè)部
這是基美在亞洲興修的第一個(gè)出產(chǎn)制作工廠。 于2003年在姑蘇工業(yè)園區(qū)注冊(cè)成立,基美一廠于2004年正式對(duì)外開業(yè)。在基美團(tuán)隊(duì)的努力下,先后經(jīng)過(guò)了ISO9000, TS16949, ISO140001 和
OHSAS 18001審閱認(rèn)證。幾年來(lái),公司接連追加投資,人員與設(shè)備不斷壯大。2006年,基美二廠正式投產(chǎn), 出產(chǎn)基于導(dǎo)電高分子材料的有機(jī)鉭電容(KEMET Organic Capacitor, KO-CAP?)產(chǎn)
品。2008年,姑蘇有機(jī)固態(tài)鋁電解電容工廠破土動(dòng)工,于2009年投入運(yùn)用.現(xiàn)在基美姑蘇有機(jī)固態(tài)電容事業(yè)部不僅具有固態(tài)有機(jī)鉭和鋁電容的全部出產(chǎn)制程, 還有技能與產(chǎn)品研制,設(shè)備研制
與設(shè)計(jì), 客戶服務(wù)與技能支持等部分,有機(jī)固態(tài)電容事業(yè)部是姑蘇市外資研制機(jī)構(gòu), 江蘇省高新技能企業(yè)。
有機(jī)固態(tài)電容事業(yè)部地址:姑蘇工業(yè)園區(qū)陽(yáng)浦路99號(hào)
有機(jī)固態(tài)電容事業(yè)部總機(jī):0512-88163185
薄膜與電解電容事業(yè)部
2007年,基美公司正式收買了阿可電子(意大利)和伊沃福斯瑞法(芬蘭)鋁電解電容、紙質(zhì)電容和薄膜電容公司。上海阿可電子機(jī)械制作有限公司是基美公司在我國(guó)市場(chǎng)的薄膜電容器出產(chǎn)
基地,在薄膜電容器職業(yè)以優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和先進(jìn)的技能而出名,系國(guó)際薄膜電容器產(chǎn)品中的優(yōu)秀品牌。
總結(jié)一下
KEMET是美國(guó)的一個(gè)品牌,是鉭電容的發(fā)明者,KEMET品牌的中文名稱譯為基美電子,基美鉭電容在全國(guó)際的市場(chǎng)份額中是最大的,其次才是AVX,但KEMET鉭電容在我國(guó)的市場(chǎng)份額反而輸給了AVX.
基美鉭電容在軍工范疇特別強(qiáng),但是在我國(guó)市場(chǎng)的一般工業(yè)范疇,似乎不怎么樣,并且經(jīng)常遇到說(shuō)KEMET鉭電容爆破的問(wèn)題,而AVX鉭電容就很少傳聞爆破的問(wèn)題。
好! 鉭電解電容常見(jiàn)的品牌有 AVX KEMET NEC VISHAY NICHICON這幾個(gè)品牌,其間前兩個(gè)本體是黃色的(黃鉭),后邊三個(gè)的本體是黑色的(黑鉭),市場(chǎng)上面份額AVX>基美
KEMET>NEC>VISHAY>NICHICON,所以就市場(chǎng)上面來(lái)說(shuō)AVX的假貨也是最多的!其他的根本來(lái)說(shuō)仍是比較少點(diǎn)!所以辨認(rèn)假貨來(lái)說(shuō)一般也是比較重要的!
一線品牌:AVX和基美KEMET(本體均為黃色)
二級(jí)品牌:NEC 、VISHAY 、NICHICON(本體均為黑色)
三流品牌:國(guó)內(nèi)品牌,不論宣稱自己的技能設(shè)備怎么先進(jìn),其質(zhì)量都不敢恭維。