KEMET鉭電容的鉭芯表面都會覆蓋著一層五氧化二鉭薄膜的電介質(zhì)，這層人質(zhì)是采用陽極化工藝，由厚5nm~10nm的N型氧化鉭層和五氧化二鉭純半導(dǎo)體層復(fù)合而成。其厚度與陽極化電壓成份額，也是決定了KEMET鉭電容耐壓值的大小。一般來說用于6V電池應(yīng)用的KEMET鉭電容而言，鉭電容的五氧化二鉭薄膜層厚度為0.04微米或許40納米。
超大容量的片式多層陶瓷電容器則采用澆覆厚度為2.0微米的陶瓷電介質(zhì)薄層的方法來制造，這樣比鉭電容的要厚得多。片式多層陶瓷電容器采用層疊工藝，終究制造出多層電容。與鉭電容相同，片式多層陶瓷電容器的電介質(zhì)層厚度決定了額定電壓，電介質(zhì)層數(shù)決定了容量。介電常數(shù)的差異導(dǎo)致了IR的巨大不同。
KEMET鉭電容的漏電流會因為正極表面的機(jī)械損壞或許氧化層表面的決裂而上升。正極的外表面歸于易損部分，遭到熱、機(jī)械和電氣作用的共同影響。表面漏電流會受濕度的影響，并導(dǎo)致長期作業(yè)的不穩(wěn)定。
改善鉭芯的生產(chǎn)工藝，更好地控制氧化物層的厚度，可以協(xié)助消除鉭電容表面漏電流問題。在鉭芯的外表面生成較厚的電介質(zhì)薄膜，防止其遭到機(jī)械損壞，從而大幅改善漏電流功能，下降漏電流.除了改善鉭電容的正極結(jié)構(gòu)，與聚合物負(fù)極結(jié)構(gòu)相比，鉭電容的二氧化錳負(fù)極結(jié)構(gòu)具有更為優(yōu)異的漏電流功能，因該資料有更好的導(dǎo)電性。
