這是在陽(yáng)極氧化形成的電壓。這個(gè)氧化層的厚度是形成電壓成正比一個(gè)電容器，并在設(shè)置額外電壓的一個(gè)因素。
KEMET鉭電容的反向電壓是有嚴(yán)格的約束的，具體如下：
在1.0V 25° C 條件下最大為10%的額外直流作業(yè)電壓在0.5V 85° C 條件下最大為3%的額外直流作業(yè)電壓在0.1V 125℃條件下最大為1%的額外直流作業(yè)電壓反向電壓值均以鉭電容在任何時(shí)刻上的最高電壓值為準(zhǔn)。這些約束是假設(shè)鉭電容器偏振光在其大多數(shù)的正確方向作業(yè)壽數(shù)。他們的目的是涵蓋短期反轉(zhuǎn)如發(fā)生在開關(guān)瞬態(tài)極性期間的一個(gè)印象深入的波形的一小部分。連續(xù)施加反向電壓會(huì)導(dǎo)致兩極分化，將導(dǎo)致漏電流增大。
在在何種情況下連續(xù)反向使用電壓或許會(huì)呈現(xiàn)兩個(gè)類似的電容應(yīng)選用與負(fù)端接背回裝備連接在一起。在大多數(shù)情況下這種組合將有一個(gè)標(biāo)稱電容的電容的一半無(wú)論是電容。在孤立的脈沖條件或在開始幾個(gè)周期內(nèi)，電容或許的方法完整的標(biāo)稱值。反向電壓等級(jí)的規(guī)劃蓋小等級(jí)游覽得天獨(dú)厚的條件弄錯(cuò)極性。引證的值是不打算掩蓋連續(xù)的反向操作。
