國巨電容的特性以及命名規(guī)則！
國巨電容也稱為貼片電容，是無鉛環(huán)保型電容，其形狀是片狀型，具有電容范圍寬，溫度特性寬，耐壓范圍寬，可靠性高等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于高科技行業(yè)。
國巨電容的特性！
1、先進的薄層化技術(shù)，使產(chǎn)品小型化，大容量。
2、獨石結(jié)構(gòu)，確保產(chǎn)品的機械強度及可靠性。
3、高尺寸精度，保證元件安裝的高效率。
4、容量低漂移，可用于各種形勢的采楊電路。
5、低殘留電感，保證了出色的頻率特性。
國巨電容的優(yōu)點！
1、微型化：攜式信息與通信終端的小型化、輕量化。包括移動電話、筆記本電腦、W-LAN、MP3數(shù)碼相機、攝像機等。
2、高品質(zhì)、低成本化：賤金屬電極材料（BME）技術(shù)。質(zhì)優(yōu)價廉的計算機、通信及數(shù)字視聽A&V產(chǎn)品迅速普及。
3、高可靠性：高頻/高壓化、高Q值。適用于RF模塊，CRT與主板電源濾波，LCD背光。
4、無鉛無鎘、綠色環(huán)保。
國巨電容命名規(guī)則！
國巨電阻都是以R開頭，前面2個字母表示電阻的系列名稱。RC表示一般厚膜電阻，例如：RC0402JR-07100KL；RL表示低阻值電阻，如RL0603JR-070R12L；RT表示高精密厚膜電阻；RJ表示薄膜電阻；RV表示高壓電阻。
系列名稱（RC/RT/RJ/RV等）后面的4位數(shù)表示尺寸，如0100，0201，0402，0603，0805，1206，1210，1218，2010，2512等等。
尺寸后面的字母表示誤差。W=±0.05%，B=±0.1%，C=±0.25%，D=±0.5%，F(xiàn)=±1%，G=±2%，J=±5%，K=±10%，M=±20%
誤差后面的字母表示封裝形式，如R表示紙帶，K表示塑料編帶。
封裝形式后面2位數(shù)表示封裝尺寸，07表示7寸盤；10表示10寸盤；13表示13寸盤。
封裝后面的數(shù)值表示阻值，如0R表示0歐；1K=1000歐，1M=1000000歐。最后的L表示無鉛。
以上便是國巨電容的特性以及命名規(guī)則了
