鉭電容的歷史背景
鉭電容的使用迄今已接近60年，鉭電容以長期可靠性和容值密度而著稱。它在軍用和商用航空電子、可植入醫療電子、筆記本電腦、智能手機及工業自動化和控制系統設計中居于中心地位。
鉭電容受歡迎主要因素是其體積效率產生的高單位體積容值。
容值公式：C=(kA)/d
其中：C=容值，k=介電常數，A=表面面積，d=電介質厚度
憑借極大的表面面積、高介電常數和相對較薄的電介質層，鉭電容可在1μF至2,200μF容值范圍內和最大50 V外加電壓條件提供最佳的容值密度。
高級鉭粉和高效率封裝的結合使鉭電容領先于替代技術。比如，目前的鉭電容能以0402外殼尺寸在4V充電電壓下提供22μF容值。在電壓范圍另一端，可找到采用單個封裝，在50V充電電壓下提供47μF容值的鉭電容。傳統鉭電容的陰極系統使用二氧化錳(MnO2)材料。這種半導體材料提供自愈機制且相對便宜，但其富氧配方在高熱的極端環境中容易導致起火。自上世紀90年代中期以來，導電聚合物技術趨于成熟，與MnO2產品形成互補。導電率顯著高于MnO2，導電聚合物可降低ESR。這一進展與消除敏感應用中的起火危險相結合，推動了相關企業對這種技術的投資。
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