鉭電容的歷史背景
2020-07-10
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鉭電容的使用迄今已接近60年，鉭電容以長期可靠性和容值密度而著稱。它在軍用和商用航空電子、可植入醫(yī)療電子、筆記本電腦、智能手機及工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)設(shè)計中居于中心地位。
鉭電容受歡迎主要因素是其體積效率產(chǎn)生的高單位體積容值。
容值公式：C=(kA)/d
其中：C=容值，k=介電常數(shù)，A=表面面積，d=電介質(zhì)厚度
憑借極大的表面面積、高介電常數(shù)和相對較薄的電介質(zhì)層，鉭電容可在1μF至2,200μF容值范圍內(nèi)和最大50 V外加電壓條件提供最佳的容值密度。
高級鉭粉和高效率封裝的結(jié)合使鉭電容領(lǐng)先于替代技術(shù)。比如，目前的鉭電容能以0402外殼尺寸在4V充電電壓下提供22μF容值。在電壓范圍另一端，可找到采用單個封裝，在50V充電電壓下提供47μF容值的鉭電容。傳統(tǒng)鉭電容的陰極系統(tǒng)使用二氧化錳(MnO2)材料。這種半導(dǎo)體材料提供自愈機制且相對便宜，但其富氧配方在高熱的極端環(huán)境中容易導(dǎo)致起火。自上世紀90年代中期以來，導(dǎo)電聚合物技術(shù)趨于成熟，與MnO2產(chǎn)品形成互補。導(dǎo)電率顯著高于MnO2，導(dǎo)電聚合物可降低ESR。這一進展與消除敏感應(yīng)用中的起火危險相結(jié)合，推動了相關(guān)企業(yè)對這種技術(shù)的投資。
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